به گزارش سرویس بین الملل پایگاه خبری عدل البرز به نقل از cnbc، سامسونگ الکترونیکس روز سه‌شنبه اعلام کرد که یک تراشه حافظه با پهنای باند بالا توسعه داده که دارای “بالاترین ظرفیت تا به امروز” در صنعت می باشد.

غول تراشه کره جنوبی ادعا کرد که HBM3E 12H هم عملکرد و هم ظرفیت را بیش از ۵۰٪ افزایش می دهد.

ارائه دهندگان خدمات هوش مصنوعی صنعت به طور فزاینده ای به HBM با ظرفیت بالاتر نیاز دارند و محصول جدید HBM3E 12H برای پاسخگویی به این نیاز طراحی شده است.

سامسونگ الکترونیکس، بزرگترین سازنده تراشه های حافظه با دسترسی تصادفی پویا در جهان می باشد که در دستگاه های مصرف کننده مانند تلفن های هوشمند و رایانه ها استفاده می شود.

مدل های مولد هوش مصنوعی مانند ChatGPT به تعداد زیادی تراشه حافظه با کارایی بالا نیاز دارند. چنین تراشه‌هایی به مدل‌های هوش مصنوعی مولد این امکان را می‌دهند تا جزئیات مکالمات گذشته و ترجیحات کاربر را به خاطر بیاورند تا پاسخ‌های انسانی ایجاد کنند.

رونق هوش مصنوعی همچنان به تولیدکنندگان تراشه کمک می کند. انویدیا، طراح تراشه ایالات متحده، به لطف تقاضای سرسام آور برای واحدهای پردازش گرافیکی خود، که هزاران مورد از آن برای اجرا و آموزش ChatGPT استفاده می شود، درآمد سه ماهه چهارم مالی خود را ۲۶۵ درصد افزایش داده است.

مدیرعامل انویدیا، معتقد است که این شرکت ممکن است نتواند این سطح از رشد یا فروش را برای کل سال حفظ کند.

با رشد تصاعدی برنامه های هوش مصنوعی، انتظار می رود HBM3E 12H یک راه حل بهینه برای سیستم های آینده باشد که به حافظه بیشتری نیاز دارند. عملکرد و ظرفیت بالاتر آن به ویژه به مشتریان این امکان را می دهد که منابع خود را با انعطاف بیشتری مدیریت کنند و هزینه کل مالکیت مراکز داده را کاهش دهند.

سامسونگ نمونه برداری از تراشه را برای مشتریان آغاز کرده و تولید انبوه HBM3E 12H برای نیمه اول سال ۲۰۲۴ برنامه ریزی شده است.

در ماه سپتامبر، سامسونگ موفق به امضای یک توافق برای تأمین تراشه‌های حافظه با پهنای باند بالا نسل سه (High-Bandwidth Memory 3) به شرکت انویدیا شد.

SK Hynix که دومین سازنده بزرگ تراشه‌های حافظه کره جنوبی می باشد، پیشتاز بازار تراشه‌های حافظه با کارایی بالا می باشد. SK Hynix قبلا به عنوان تنها تولید کننده انبوه تراشه های HBM3 عرضه شده به انویدیا شناخته می شد.

 با استفاده از فیلم فشرده‌سازی حرارتی پیشرفته، سامسونگ توانسته است تراشه‌های HBM3E 12H را با ارتفاع مشابه تراشه‌های ۸ لایه تولید کند. این امر به معنای این است که ارتفاع تراشه‌ها برای تأمین نیازهای بسته‌بندی HBM فعلی بهبود یافته است، در حالی که قدرت پردازشی تراشه‌ها افزایش یافته و ابعاد فیزیکی آنها افزایش نیافته است.

سامسونگ توانسته است با کاهش ضخامت مواد NCF و کاهش فاصله بین تراشه‌ها و به حداقل رساندن آن، همچنین با حذف حفره‌های بین لایه‌ها، چگالی عمودی تراشه‌ها را نسبت به محصول HBM3 8H خود بیش از ۲۰٪ افزایش دهد. این افزایش در چگالی به معنای افزایش تعداد تراشه‌هایی ست که می‌توان در یک فضای مشخص قرار داد و این امر بهبود کارایی و قابلیت اطمینان تراشه‌ها را افزایش می‌دهد.

پایان پیام/